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IPD50R399CPBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

DPAK-252

描述:

Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CPBTMA1, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD50R399CPBTMA1 数据手册 (10 页)

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IPD50R399CPBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

DPAK-252

额定功率

83 W

极性

N-CH

功耗

83 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

890pF @100V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83 W

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IPD50R399CPBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.223 mm

高度

2.413 mm

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IPD50R399CPBTMA1 符合标准

IPD50R399CPBTMA1 概述

IPD50R399CPBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.73 MByte

IPD50R399CPBTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD50R399CPBTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPD50R399CPBTMA1 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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