￥ 0.486

IPD60N10S4-12 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-252-3-313

描述:

场效应管(MOSFET) IPD60N10S4-12 TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPD60N10S4-12 数据手册 (138 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPD60N10S4-12 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-252-3-313

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

60A

IPD60N10S4-12 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

IPD60N10S4-12 符合标准

IPD60N10S4-12 数据手册

IPD60N10S4-12 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD60N10S4-12 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPD60N10S4-12 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPD60N10 数据手册

IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V

IPD60N10S412ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 100V 60A

IPD60N10S4L-12 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3

IPD60N10S4-12 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60N10S4-12 TO-252-3

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号