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IPD60R3K3C6BTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-252

描述:

INFINEON IPD60R3K3C6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD60R3K3C6BTMA1 数据手册 (14 页)

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IPD60R3K3C6BTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

额定功率

11.1 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.97 Ω

极性

N-Channel

功耗

18.1 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

1.7A

工作温度(Max)

150 ℃

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IPD60R3K3C6BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

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IPD60R3K3C6BTMA1 符合标准

IPD60R3K3C6BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.93 MByte

IPD60R3K3C6BTMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.19 MByte

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