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IPD60R520C6BTMA1
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IPD60R520C6BTMA1 数据手册 (17 页)
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IPD60R520C6BTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
8.1A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
512pF @100V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
66000 mW

IPD60R520C6BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPD60R520C6BTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.08 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPD60R520C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
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