Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPD60R520CPBTMA1 Datasheet 文档
IPD60R520CPBTMA1
0.68
IPD60R520CPBTMA1 数据手册 (3 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPD60R520CPBTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
66W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
6.8A
输入电容值(Ciss)
630pF @100V(Vds)
耗散功率(Max)
66W (Tc)

IPD60R520CPBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPD60R520CPBTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.72 MByte

IPD60R520 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD60R520CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 650 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z