￥ 2.258

IPD65R380C6BTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

IPD65R380C6BTMA1 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD65R380C6BTMA1 数据手册 (19 页)

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页 18 页

IPD65R380C6BTMA1 数据手册 (19 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPD65R380C6BTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

83 W

极性

N-Channel

功耗

83 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

10.6A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

710pF @100V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

查看数据手册 >

IPD65R380C6BTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPD65R380C6BTMA1 符合标准

IPD65R380C6BTMA1 海关信息

IPD65R380C6BTMA1 概述

IPD65R380C6BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 1.9 MByte

IPD65R380C6BTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD65R380C6BTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD65R380C6BTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD65R380C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

IPD65R380C6BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPD65R380C6BTMA1 编带

IPD65R380C6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD65R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号