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IPD78CN10NGBUMA1
0.302
IPD78CN10NGBUMA1 数据手册 (12 页)
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IPD78CN10NGBUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
功耗
31 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
538pF @50V(Vds)
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
31W (Tc)

IPD78CN10NGBUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPD78CN10NGBUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1 MByte
Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.37 MByte

IPD78CN10 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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