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IPD80R1K4CEBTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD80R1K4CEBTMA1 数据手册 (15 页)

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IPD80R1K4CEBTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

N-CH

功耗

63 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

3.9A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

570pF @100V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

63W (Tc)

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IPD80R1K4CEBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPD80R1K4CEBTMA1 符合标准

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Infineon（英飞凌）

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