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IPD80R1K4P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道 800V 4A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD80R1K4P7 数据手册 (13 页)

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IPD80R1K4P7 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

32 W

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

250pF @500V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

32000 mW

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IPD80R1K4P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPD80R1K4P7 符合标准

IPD80R1K4P7 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.96 MByte

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