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IPG20N04S4-08A
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IPG20N04S4-08A 数据手册 (9 页)
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IPG20N04S4-08A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
20A

IPG20N04S4-08A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPG20N04S4-08A 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N04S408 数据手册

Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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