￥ 0.611

IPG20N04S409ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPG20N04S409ATMA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPG20N04S409ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0079 Ω

极性

N-CH

功耗

54 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

1730pF @25V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

54000 mW

查看数据手册 >

IPG20N04S409ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

IPG20N04S409ATMA1 符合标准

IPG20N04S409ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.13 MByte

IPG20N04S409ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPG20N04S409ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPG20N04S409ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPG20N04S409 数据手册

IPG20N04S4-09 数据手册

Infineon（英飞凌）

的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPG20N04S409ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号