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IPG20N10S4-36A
0.637
IPG20N10S4-36A 数据手册 (138 页)
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IPG20N10S4-36A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PG-TDSON-8-10
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A

IPG20N10S4-36A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPG20N10S4-36A 数据手册

Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N10S436 数据手册

Infineon(英飞凌)
N-沟道 100 V 36 mΩ 15 nC OptiMOS™-T2 功率-晶体管 - TDSON-8-10
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 100V 20A
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