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IPG20N10S4L22AATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8-10

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPG20N10S4L22AATMA1 数据手册 (138 页)

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IPG20N10S4L22AATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8-10

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-CH

功耗

60 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

1755pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

IPG20N10S4L22AATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPG20N10S4L22AATMA1 符合标准

IPG20N10S4L22AATMA1 概述

IPG20N10S4L22AATMA1 数据手册

IPG20N10S4L22AATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPG20N10S4L22AATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPG20N10S4L22AATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V

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