IPG20N10S4L-35 数据手册 - Infineon（英飞凌）

N-沟道 100 V 36 mΩ 15 nC OptiMOS™-T2 功率-晶体管 - TDSON-8-10

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V

场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22 TDSON-8-4

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.6 V

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 1.6 V

场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-22A TDSON-8

2个N沟道 100V 20A

场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35 TDSON-8

场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35A TDSON-8