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IPG20N10S4L35AATMA1
0.328
IPG20N10S4L35AATMA1 数据手册 (14 页)
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IPG20N10S4L35AATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8-10
极性
N-CH
功耗
43 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
2 ns
输入电容值(Ciss)
1105pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
43 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
43000 mW

IPG20N10S4L35AATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IPG20N10S4L35AATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N10S4L35 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35 TDSON-8
Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
2个N沟道 100V 20A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPG20N10S4L-35A TDSON-8
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