IPI126N10N3 G

￥ 0.529

IPI126N10N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPI126N10N3 G 数据手册 (11 页)

IPI126N10N3 G 数据手册 (11 页)

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IPI126N10N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-262-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

12.3 mΩ

功耗

94 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

94 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

94W (Tc)

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IPI126N10N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.2 mm

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPI126N10N3 G 符合标准

IPI126N10N3 G 概述

IPI126N10N3 G 数据手册

IPI126N10N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.62 MByte

IPI126N10N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IPI126N10N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.03 MByte

IPI126N10N3 数据手册

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