￥ 0.64

IPI126N10N3GXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPI126N10N3GXKSA1 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPI126N10N3GXKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

58A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

1880pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

94000 mW

查看数据手册 >

IPI126N10N3GXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

查看数据手册 >

IPI126N10N3GXKSA1 符合标准

IPI126N10N3GXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.63 MByte

IPI126N10N3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPI126N10N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPI126N10N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor

IPI126N10N3GXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号