￥ 1.187

IPL60R385CPAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

VSON

描述:

INFINEON IPL60R385CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPL60R385CPAUMA1 数据手册 (13 页)

封装尺寸在12 页

IPL60R385CPAUMA1 数据手册 (13 页)

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IPL60R385CPAUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

VSON

额定功率

83 W

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

83 W

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IPL60R385CPAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

8.1 mm

宽度

8.1 mm

高度

1.1 mm

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IPL60R385CPAUMA1 符合标准

IPL60R385CPAUMA1 概述

IPL60R385CPAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 1.59 MByte

IPL60R385CPAUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPL60R385CPAUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPL60R385CPAUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPL60R385 数据手册

IPL60R385CPAUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R385CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

IPL60R385CP 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPL60R385CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

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