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IPLU300N04S4-R8
5.353
IPLU300N04S4-R8 数据手册 (9 页)
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IPLU300N04S4-R8 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
9 Pin
封装
H-PSOF-8
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
429 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
300A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
17650pF @25V(Vds)
下降时间
61 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
429000 mW

IPLU300N04S4-R8 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.37 mm
宽度
9.9 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPLU300N04S4-R8 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPLU300N04S4 数据手册

Infineon(英飞凌)
IPLU300N04S4R8XTMA1 编带
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPLU300N04S4-R8 HSOF-8
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 40 V, 830 µohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 40V 300A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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