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IPN50R650CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

电源管理

封装:

SOT-223

描述:

500V,650mΩ,9A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPN50R650CE 数据手册 (13 页)

IPN50R650CE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-223

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

5 ns

下降时间

13 ns

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IPN50R650CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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IPN50R650CE 符合标准

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Infineon（英飞凌）

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