IPN80R1K2P7

￥ 2.191

IPN80R1K2P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOT-223-3

描述:

场效应管(MOSFET) IPN80R1K2P7 SOT-223-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IPN80R1K2P7 数据手册

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IPN80R1K2P7 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-223-3

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

300pF @500V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6800 mW

IPN80R1K2P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

IPN80R1K2P7 符合标准

IPN80R1K2 数据手册

IPN80R1K2P7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 800 V, 1 ohm, 10 V, 3 V

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