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IPN80R600P7
0.843

IPN80R600P7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
570pF @500V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
7400 mW

IPN80R600P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPN80R600P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.99 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 3.22 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPN80R600 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 800V 8A
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