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IPP040N06N3GHKSA1
0.748
IPP040N06N3GHKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP040N06N3GHKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
90A

IPP040N06N3GHKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm

IPP040N06N3GHKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
298 页 / 1.99 MByte

IPP040N06N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP040N06N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
60V,90A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,90A,N沟道功率MOSFET
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