IPP05CN10NGXKSA1

￥ 3.514

IPP05CN10NGXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP05CN10NGXKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP05CN10NGXKSA1 数据手册 (11 页)

IPP05CN10NGXKSA1 数据手册 (11 页)

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IPP05CN10NGXKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

100 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

300 W

输入电容

12.0 nF

栅电荷

181 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPP05CN10NGXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.57 mm

高度

15.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPP05CN10NGXKSA1 符合标准

IPP05CN10NGXKSA1 概述

IPP05CN10NGXKSA1 数据手册

IPP05CN10NGXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.76 MByte

IPP05CN10NGXKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP05CN10NGXKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPP05CN10NGXKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPP05CN10NGXKSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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