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IPP072N10N3GXK 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP072N10N3GXK 数据手册 (10 页)

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IPP072N10N3GXK 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6.2 mΩ

极性

N-CH

功耗

150 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

37 ns

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IPP072N10N3GXK 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPP072N10N3GXK 符合标准

IPP072N10N3GXK 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.56 MByte

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