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IPP075N15N3GHKSA1
2.59
IPP075N15N3GHKSA1 数据手册 (11 页)
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IPP075N15N3GHKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
35 ns
下降时间
14 ns

IPP075N15N3GHKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IPP075N15N3GHKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.72 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.72 MByte

IPP075N15N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP075N15N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP075N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Infineon(英飞凌)
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