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IPP100N06S205
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IPP100N06S205 数据手册 (9 页)
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IPP100N06S205 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5 mΩ
功耗
300 W
漏源击穿电压
55 V
上升时间
31 ns
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

IPP100N06S205 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm

IPP100N06S205 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte

IPP100N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 100A
Infineon(英飞凌)
OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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