￥ 4.196

IPP120N20NFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IPP120N20NFD 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP120N20NFD 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPP120N20NFD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0106 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

84A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

5000pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 W

查看数据手册 >

IPP120N20NFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

查看数据手册 >

IPP120N20NFD 符合标准

IPP120N20NFD 海关信息

IPP120N20NFD 概述

IPP120N20NFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.26 MByte

IPP120N20 数据手册

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装

IPP120N20NFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPP120N20NFD 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号