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IPP120P04P4L03AKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP120P04P4L03AKSA1 数据手册 (9 页)

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IPP120P04P4L03AKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

P-CH

功耗

136 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

15000pF @25V(Vds)

下降时间

57 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136W (Tc)

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IPP120P04P4L03AKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPP120P04P4L03AKSA1 符合标准

IPP120P04P4L03AKSA1 概述

IPP120P04P4L03AKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IPP120P04P4L03AKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPP120P04P4L03AKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPP120P04P4L03AKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPP120P04P4L03AKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.1 MByte

IPP120P04P4L03 数据手册

IPP120P04P4L-03 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPP120P04P4L03AKSA1 数据手册

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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

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P沟道 40V 120A

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