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IPP1SAD3100
10.376
IPP1SAD3100 数据手册 (2 页)
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IPP1SAD3100 技术参数、封装参数

类型
描述
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

IPP1SAD3100 数据手册

Apem Components
2 页 / 0.32 MByte
Apem Components
4 页 / 0.22 MByte

IPP1 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP110N20N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP110N20N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP147N12N3GXKSA1, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP110N20NAAKSA1, 88 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP111N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V
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