￥ 3.076

IPP60R099P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP60R099P6XKSA1 数据手册 (18 页)

IPP60R099P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

278 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.089 Ω

极性

N-CH

功耗

278 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

37.9A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

3330pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

278W (Tc)

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IPP60R099P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPP60R099P6XKSA1 符合标准

IPP60R099P6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 2.21 MByte

IPP60R099P6XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP60R099P6XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

42 页 / 1.35 MByte

IPP60R099P6XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPP60R099P6 数据手册

Infineon（英飞凌）

600V,37.9A,99mΩ,N沟道功率MOSFET

IPP60R099P6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V

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