￥ 1.426

IPP60R120C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 600V 19A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP60R120C7XKSA1 数据手册 (15 页)

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IPP60R120C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

92W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

1500pF @400V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

92W (Tc)

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IPP60R120C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPP60R120C7XKSA1 符合标准

IPP60R120C7XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.65 MByte

IPP60R120C7XKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPP60R120C7XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

65 页 / 4.97 MByte

IPP60R120C7XKSA1 产品设计图

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.05 MByte

IPP60R120C7XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

74 页 / 12.08 MByte

IPP60R120C7 数据手册

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场效应管(MOSFET) IPP60R120C7 TO-220

IPP60R120C7XKSA1 数据手册

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N沟道 600V 19A

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