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IPP60R299CPXK
1.216
IPP60R299CPXK 数据手册 (10 页)
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IPP60R299CPXK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
5 ns
下降时间
5 ns

IPP60R299CPXK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R299CPXK 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.53 MByte

IPP60R299 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R299CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R299CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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