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IPP60R520C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP60R520C6 数据手册 (17 页)

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IPP60R520C6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

66W (Tc)

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

8.1A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

512pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

66 W

下降时间

14 ns

耗散功率(Max)

66W (Tc)

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IPP60R520C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPP60R520C6 符合标准

IPP60R520C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.08 MByte

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