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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > IPP60R600P7 Datasheet 文档
IPP60R600P7
0.815

IPP60R600P7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
363pF @400V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30000 mW

IPP60R600P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP60R600P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.68 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.89 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP60R600 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R600C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPP60R600C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 7.3A
Infineon(英飞凌)
600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 6A
Infineon(英飞凌)
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