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器件3D模型
¥ 3.436
IPP65R190C6 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
MOS管
封装:
TO-220
描述:
650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IPP65R190C6 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
14 页
15 页
16 页
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IPP65R190C6 数据手册
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IPP65R190C6 数据手册 (19 页)
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IPP65R190C6 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
151 W
漏源极电压(Vds)
700 V
连续漏极电流(Ids)
20.2A
上升时间
12 ns
下降时间
10 ns
查看数据手册 >
IPP65R190C6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
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IPP65R190C6 符合标准
IPP65R190C6 数据手册
IPP65R190C6
数据手册
Infineon(英飞凌)
19 页 / 2.16 MByte
IPP65R190C6
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
IPP65R190C6
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
IPP65R190C6
开发手册
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
IPP65R190 数据手册
IPP65R190
CFDXKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP65R190CFDXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
IPP65R190
C7FKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
IPP65R190
C6XKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
IPP65R190
E6XKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
IPP65R190
CFD
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
IPP65R190
C7
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP65R190C7 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V
IPP65R190
E6
数据手册
Infineon(英飞凌)
650V CoolMOSâ ?? ¢ E6功率晶体管 650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor
IPP65R190
C6
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Infineon(英飞凌)
650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPP65R190
CFDA
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Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPP65R190CFDA TO-220-3
IPP65R190
CFDAAKSA1
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