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IPP65R660CFDA
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IPP65R660CFDA 数据手册 (14 页)
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IPP65R660CFDA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
6A

IPP65R660CFDA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPP65R660CFDA 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.93 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPP65R660 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
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