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IPS521G
器件3D模型
1.821
IPS521G 数据手册 (9 页)
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IPS521G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
35.0V (max)
工作电压
35.0V (max)
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
供电电流
0.6 mA
通道数
1 Channel
漏源极电阻
100 mΩ
功耗
1000 mW
零部件系列
IPS521G
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压(Max)
35 V
电源电压(Min)
5.5 V

IPS521G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
高度
1.5 mm

IPS521G 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.13 MByte

IPS521 数据手册

Infineon(英飞凌)
IPS521 系列 35 V 80 mOhm 全保护 高边 功率 Mosfet 开关-TO-220-5
International Rectifier(国际整流器)
IRF
充分保护高侧功率MOSFET开关 FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IPS521S 电源分配开关电源IC TO-263-5/SMD220-5 marking/标记 IPS521S 充分保护高侧功率MOSFET开关
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