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IPW60R045CPXK
9.187
IPW60R045CPXK 数据手册 (11 页)
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IPW60R045CPXK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
60A

IPW60R045CPXK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

IPW60R045CPXK 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.62 MByte

IPW60R045 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CPFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 60A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R045CS  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 40 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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