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器件3D模型
¥ 1.639
IPW60R160C6XK 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
MOS管
封装:
TO-247
Pictures:
3D模型
符号图
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产品图
PDF文件:
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IPW60R160C6XK 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
23.8A
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IPW60R160C6
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R160C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
IPW60R160C6
FKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R160C6FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
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