IPW60R199CPFKSA1

￥ 0.518

IPW60R199CPFKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPW60R199CPFKSA1 数据手册 (11 页)

IPW60R199CPFKSA1 数据手册 (11 页)

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IPW60R199CPFKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

16.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

139 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

N-Channel

功耗

139 W

阈值电压

3 V

输入电容

1.52 nF

栅电荷

43.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

16.0 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1520pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

139 W

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IPW60R199CPFKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

16.03 mm

宽度

5.16 mm

高度

21.1 mm

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IPW60R199CPFKSA1 符合标准

IPW60R199CPFKSA1 概述

IPW60R199CPFKSA1 数据手册

IPW60R199CPFKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.58 MByte

IPW60R199CPFKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW60R199CPFKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPW60R199CPFKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPW60R199 数据手册

IPW60R199CP 数据手册

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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

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