￥ 4.941

IPW65R080CFDAFKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R080CFDAFKSA1, 43 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPW65R080CFDAFKSA1 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPW65R080CFDAFKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.072 Ω

极性

N-Channel

功耗

391 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

43.3A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

4440pF @100V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

391W (Tc)

查看数据手册 >

IPW65R080CFDAFKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPW65R080CFDAFKSA1 符合标准

IPW65R080CFDAFKSA1 概述

IPW65R080CFDAFKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.08 MByte

IPW65R080CFDAFKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW65R080CFDAFKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPW65R080CFDAFKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPW65R080 数据手册

IPW65R080CFDFKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW65R080CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 43.3 A, 700 V, 0.072 ohm, 10 V, 4 V

IPW65R080CFD 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPW65R080CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 43.3 A, 700 V, 0.072 ohm, 10 V, 4 V

IPW65R080CFDA 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V,43.3A,N沟道功率MOSFET

IPW65R080CFDAFKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R080CFDAFKSA1, 43 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

IPW65R080CFDFKSA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 650V 43.3A

IPW65R080CFDAXK 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号