IPW65R190C6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IPW65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190E6FKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

INFINEON  IPW65R190CFDFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET

INFINEON  IPW65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V

650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor

INFINEON  IPW65R190CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V

场效应管(MOSFET) IPW65R190CFDA TO-247-3

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能