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器件3D模型
¥ 1
IPW65R190C6FKSA1 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
MOS管
封装:
TO-247-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IPW65R190C6FKSA1 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
14 页
15 页
16 页
17 页
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IPW65R190C6FKSA1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
151 W
极性
N-CH
功耗
151 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
20.2A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1620pF @100V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
151W (Tc)
查看数据手册 >
IPW65R190C6FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail, Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
IPW65R190C6FKSA1 符合标准
IPW65R190C6FKSA1 数据手册
IPW65R190C6FKSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
19 页 / 2.16 MByte
IPW65R190C6FKSA1
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
IPW65R190C6FKSA1
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
IPW65R190C6FKSA1
开发手册
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
IPW65R190C6 数据手册
IPW65R190C6
数据手册
Infineon(英飞凌)
650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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