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IPW65R190E6FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190E6FKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPW65R190E6FKSA1 数据手册 (19 页)

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IPW65R190E6FKSA1 数据手册 (19 页)

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IPW65R190E6FKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

151 W

极性

N-CH

功耗

151 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.8A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1620pF @100V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

151W (Tc)

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IPW65R190E6FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Rail, Tube

长度

16.13 mm

宽度

21.1 mm

高度

5.21 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IPW65R190E6FKSA1 符合标准

IPW65R190E6FKSA1 概述

IPW65R190E6FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 2.16 MByte

IPW65R190E6FKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPW65R190E6FKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 1.03 MByte

IPW65R190E6FKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPW65R190E6 数据手册

Infineon（英飞凌）

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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190E6FKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

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