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IPW90R800C3XK
1.067
IPW90R800C3XK 数据手册 (11 页)
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IPW90R800C3XK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
6.9A
上升时间
20 ns
下降时间
32 ns

IPW90R800C3XK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPW90R800C3XK 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.53 MByte

IPW90R800C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
900V,800mΩ,6.9A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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