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IPZ40N04S5L-7R4
0.63
IPZ40N04S5L-7R4 数据手册 (9 页)
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IPZ40N04S5L-7R4 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TSDSON-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
40A

IPZ40N04S5L-7R4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPZ40N04S5L-7R4 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.96 MByte

IPZ40N04S5L7 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPZ40N04S5L-7R4 TSDSON-8-EP(3.3x3.3)
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