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IPZ65R045C7XKSA1
6.706
IPZ65R045C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPZ65R045C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
封装
TO-247-4
额定功率
227 W
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-CH
功耗
227 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
46A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
4340pF @400V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
227W (Tc)

IPZ65R045C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
21.1 mm
高度
5.21 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPZ65R045C7XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.52 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
55 页 / 12.55 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte

IPZ65R045C7 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R045C7XKSA1, 46 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装
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