器件3D模型

￥ 1.142

IR11662SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IR11662SPBF 数据手册 (26 页)

引脚图在11 页Hot

封装尺寸在23 页

典型应用电路图在1 页 2 页 9 页

原理图在8 页

IR11662SPBF 数据手册 (26 页)

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IR11662SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

500 kHz

引脚数

8 Pin

工作电压

11.3V ~ 20V

封装

SOIC-8

上升/下降时间

21ns, 10ns

输出接口数

1 Output

通道数

2 Channel

功耗

970 mW

开关频率

500 kHz

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

970 mW

电源电压

11.4V ~ 18V

电源电压(Max)

18 V

电源电压(Min)

11.4 V

输入电压

11.3.20 V

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IR11662SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Each

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-25℃ ~ 125℃ (TJ)

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IR11662SPBF 符合标准

IR11662SPBF 概述

IR11662SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

26 页 / 0.64 MByte

IR11662SPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IR11662SPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.24 MByte

IR11662SPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.3 MByte

IR11662SPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.14 MByte

IR11662 数据手册

IR11662STRPBF 数据手册

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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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