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IR2181S
器件3D模型
0.792
IR2181S 数据手册 (21 页)
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IR2181S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
电源电压
10V ~ 20V

IR2181S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IR2181S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
21 页 / 0.35 MByte

IR2181 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181STRPBF  芯片, 驱动器, 高/低压侧, 8SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21814SPBF  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-14
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2181PBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
高端和低端驱动器
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:1.9A 拉:2.3A
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